返回首頁
深圳市港晟電子有限公司
CONQUER ELECTRONICS SHENZHEN CO.,LTD
服務熱線:0755-29362249 |       
首頁 - 品牌電子元件 - 英諾賽科 (Innoscience)
名    稱: 英諾賽科Innoscience公司 GaN氮化鎵
所屬類別: 英諾賽科 (Innoscience)
摘    要: 英諾賽科Innoscience, 第三代半導體, 8英寸硅基氮化鎵晶圓, 低壓高壓(30V-650V)氮化鎵功率器件

 

公司簡介
8 英寸硅基氮化鎵
IDM
專利數量 500+
創立:2015 年 12 月
員工:1000+ (R&D 250+)
基地:珠海,蘇州,
深圳
產品: 30V-650V
GaN FET
珠海
產能 : 4K 晶圓 / 月
蘇州
產能 : 65K 晶圓 / 月
(2021)
英諾賽科氮化鎵平臺
市場體系
銷售
市場
氮化鎵芯片產品
FAE
低壓
(≤200伏 )
高壓
(650 伏 )
氮化鎵
IC
射頻
RF
AE
8 英寸硅基氮化鎵 IDM 制造
器件設計
外延生長
制程工藝
可靠性測試
失效分析
經驗豐富的研發與產業化團隊
LG
EPC
TSMC
MPS
UMC
SMIC
TI
SAMSUNG
8 英寸的優勢
6 英寸
晶圓面積增加 84%
8 英寸
優勢
增加有效面積,總體成本更低 更優質的上下游產業鏈配套
更先進的工藝技術 更高的生產效率
IDM 模式
IDM
模式
商業模式優點
IDM 模式
◆ 集芯片設計,外延生長,芯片制造,
可靠性與失效分析等于一體的全產業
鏈生產模式
8 英寸硅基氮化鎵,產品成本
與價格具有絕對競爭優勢
完善的可靠性與失效分析平臺,實現更
快的產品迭代升級
充足的產能
珠海 (4K/ 月 )
蘇州 (65K/月 )-2021
FAB
FAB
About
this area
130m
UT
H2 Dormitory
Office
橙框內部分
已完工 .
116m
一期
163m
二期
480m
110m
590m
設備于20年9月搬入,通線調試中 ,預計21年6月量產
珠海 8 英寸 CMOS 兼容的產線
黃光區
介質薄膜及退火區
擴散和離子注入區
蝕刻區
測量區
8 英寸 MOCVD GaN 外延
可靠性和失效分析實驗室
半自動晶圓級測試系統
全自動晶圓級測試系統
DC HTGB/HTRB
帶監控 HTGB/HTRB
TC
HAST
THB
系統級驗證
Reflow oven
英諾賽科的優勢總結
GaN 將可能取代 Si MOSFET: 市場前景巨大 !
新的應用機會 (5G, IOT, AI, 大數據 , 智慧城市等 )
新的要求 : 更高的頻率,更小的尺寸
1
硅基
氮化鎵
IDM
2
Know-
How
經驗豐富的產業化團隊
外延
可靠性
4
自有
晶圓廠
器件設計
外延生長
制造
可靠性測試
失效分析
系統測試
3
成本優勢
自有技術專利
IMEC 授權
8 英寸
制造
相比 6 英寸面積增大 84%
技術迭代,單顆芯片 die size 減小
世界上最大的 GaN-on-Si 產能計劃: ① 珠海 4K/月 ② 吳江 65K/ 月(建設中)
氮化鎵為戰略新興產業帶來新的解決方案
GaN 核心
性能優勢
高頻
開關速度快
低阻抗/面積
高頻
與硅器件
性能對比
GaN
Si
5 倍以上優勢
GaN
Si
10 倍以上優勢
GaN
Si
2 倍以上優勢
GaN
Si
2-4 倍以上優勢
典型
應用
快充
激光雷達
數據中心
5G
應用
優勢
可大幅度減小終端
應用產品體積并大幅
提高功率轉化效率
開關速度
可提高 10 倍
功率密度提升 2 倍
節能 50%
較 LDMOS
工作頻率提高 2 倍以上
產品
◆ 產品電壓等級覆蓋 40-650V,廣泛應用于快充,激光雷達,DC-DC等領域,目前累計出貨量已超 六百萬顆
WLCSP 2x2
WLCSP 2x3
WLCSP 3x5
DFN
Vds(V) P/N Configuration Rds(on)(mΩ)typ. Id(A)cont. Package
100 INN100W08 Single 36 4 WLCSP 2x2
INN100W12 Single 6 16 WLCSP 5x3
INN100L12 Single 6 16 FCLGA
INN100W14 Single 19 7 WLCSP 3x5
650 INN650D01 Single 130 16.5 DFN 8x8
INN650DA01 Single 130 16.5 DFN 5x6
INN650D02 Single 200 11 DFN 8x8
INN650D02A Single 200 11 DFN 8x8
INN650DA02A Single 200 11 DFN 5x6
INN650DA04 Single 400 5.5 DFN 5x6
650V 氮化鎵 Roadmap
Road Map
Ron (mOhm)
400
300
200
130
80
量產
開發中
50
25
30W
65W
300W
1kW
3kW
6.6kW
100V 氮化鎵 Roadmap
Ron (mOhm)
量產
開發中
36
Road Map
19
激光雷達
7
4
2
300W
750W
1kW
廣泛的應用領域
消費
工業
汽車
快充
無人機
D 類功放
5G
AI
數據中心
光伏
航天
自動駕駛
OBC
方案和 Demo
65W 超薄 PD Demo
65W 超小 PD Demo
100W 2C2A Demo
65W A+2C Demo
尺寸:
26mm*27mm*44mm
功率密度: 34W/in3
尺寸:
50mm*56mm*13mm
功率密度: 29W/in3
尺寸: 46mm*46mm*23mm
功率密度: 21.8W/in3
尺寸:
56mm*71mm*22.5mm
功率密度: 18W/in3
Demo 板目錄:
Demo編號 輸出功率/(接口) 拓撲
DMB001 60W/(單C) QR flyback
DMB002 65W/(單C 超薄) QR flyback
DMB003 65W/(A+C) QR flyback + buck
DMB004 100W/(單C) QR flyback
DMB005 100W/(2A+2C) Boost PFC + QR flyback + buck
DMB006 65W/(單C 超小) QR flyback
DMB007 200W/(2A+3C) Boost PFC + LLC + buck
DMB008 20W/(單C) QR flyback
DMB009 30W/(單C) QR flyback
DMB012 120W/(單C) Boost PFC + ACF
DMB013 200W/(LED Driver) Boost PFC + LLC
DMB014 150W/(LED Driver) Boost PFC + LLC
DMB015 65W/(A+2C) QR flyback + buck
關于港晟
公司簡介
企業使命
發展歷程
經營范圍
公司資質
品牌電子元件
富鼎先進 (APEC)
美浦森 (Maplesemi)
節能元件 (PFC)
力林 (PowerForest)
兆龍 (CT Micro)
電源方案
環球半導體 5V 12V 24V
英諾賽科 GaN方案
聯系我們
聯系港晟
品牌伙伴
地理位置
419032_514320
版權所有 © 深圳市港晟電子有限公司 備案號:粵ICP備11078925號 | 網站設計與維護:湛藍設計 

(工作日:9:00-17:30)

在線QQ

貿易類 2355858227

工廠類 2355858257

技術  2355858263

客服  2355859132

客服電話0755-29362249

久久五月天婷婷,久久国产欧美国日产综合抖音,久久高清免费视频,免费精品久久天干天干